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報告承辦單位:物理與電子科學學院

報告內容: 電力電子器件及其應用研究

報告人姓名: 王俊

報告人所在單位: 湖南大學

報告人職稱/職務及學術頭銜:教授

報告時間: 2022年6月29日 9：30

報告地點: 理科樓C509

報告人簡介: 湖南大學電氣與信息工程學院教授、博士生導師；國家特聘青年專家、湖南省“高層次人才聚集工程”創新人才、湖南大學岳麓學者、東華軟件青年學者；中國功率半導體技術創新與產業聯盟專家委員會委員、中國電源學會器件專委會委員、中國電機工程學會電力電子器件專委會委員、中國物理學會應用物理前沿推介委員會IEEE高級會員, IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics和IET Power Electronics編委.美國北卡羅來納州立大學博士攻讀期間，發明了世界首個SiC ETO晶閘管；美國德州儀器公司工作期間，所研發的高性能功率MOSFET 產品（NexFET）被應用到蘋果公司的iphone5和ipad2、戴爾和惠普服務器等產品中；發表第一作者/通訊作者國際期刊論文40余篇，擁有3項美國發明專利、1項日本發明專利和17項中國發明專利。主持了1個國家自科基金區域創新聯合基金重點項目、2個國家自科基金面上項目、1個湖南省重點研發計劃項目、1個重點研發計劃項目子課題、工信部“強基工程”項目子課題、湖南省重大專項項目課題和15項企業橫向合作項目。